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英国曼彻斯特大学A. R. Peaker教授来我校讲学访问
 


英国曼彻斯特大学A. R. Peaker教授来我校讲学访问

(2009-3-30)


    应我校副校长郝跃教授的邀请,英国曼彻斯特大学的 Prof. A.R. Peaker 于2009年3月23至3月27日来我校讲学访问。

    3月24日,A. R. Peaker教授面向微电子学院师生作了题为“Beyond Silicon Integrated Circuits: Materials and Devices for the Post Silicon Era”的学术报告。Peaker教授从业界的角度重点讲述了半导体CMOS的发展历程、等比例缩小的极限、锗器件研究的新进展以及锗的量子点模型。他的报告讲深入浅出,内容十分精彩,受到了师生们的一致好评。报告会后,Peaker教授还耐心回答了教师与研究生提出的诸多问题。

    访问期间,Peaker教授还与郝跃副校长、微电子学院院长庄奕琪教授、副院长张玉明教授、刘红侠教授、张义门教授、贾新章教授等进行了会谈,对于我校的科研方向表现出了浓厚的兴趣。双方就进一步加强科研合作以及开展更高层次的合作与交流等事宜充分交换了意见,为今后双方开展更多的合作与交流奠定了基础。

     A. R. Peaker 教授是英国曼彻斯特大学电子工程学院的教授和电子材料中心主任。他负责研制了世界上第一只商用发光二极管LED。他还负责研制了商用的深能级瞬态谱(DLTS)设备,该设备已经成为工业化半导体中缺陷的检测标准。Peaker教授曾经获得英国国家物理实验室奖励和英国皇家工程学术奖励。近年来,他的主要研究方向为锗材料中的缺陷检测、CMOS器件中高K介质的退化和硅太阳能电池等。

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