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新加坡国立大学朱春翔副教授一行来西电访问
 

  西电新闻网讯(通讯员 张鹏)应“宽禁带半导体与微纳电子学111基地”邀请,新加坡国立大学朱春翔副教授和林珍华博士于6月20日至6月22日来我校进行了学术交流和访问。

  21日上午,朱教授在科技楼为我校师生做了题为“Recent development of Ge semiconductor for electronic and photonic device applications”的报告。报告结束后,朱教授与在场的师生进行了讨论和交流。随后,林珍华博士做了题为“Interface layers on ITO substrates for inverted organic solar cells”的报告。访问期间,朱教授与庄奕琪教授、张玉明教授等就微电子领域有关器件方面的研究进行了交流和探讨,并商讨了双方合作的可能性。

  朱春翔现为新加坡国立大学副教授,西安电子科技大学宽禁带半导体与微纳电子学创新引智基地海外学术骨干。研究方向主要为半导体材料的制备与改进,半导体器件的设计。2001年至今已在国际著名刊物及会议上发表论文 100 余篇,近百篇论文被 SCI 应用。论文总引用 2600 余次,平均引用率达 17 次,H-index 达28。

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