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西电举办宽禁带半导体国家111基地学术研讨会
 

  西电新闻网讯(通讯员 张鹏 曹静) 5月18日,“宽禁带半导体与微纳电子学国家111基地”首届学术研讨会在西安电子科技大学北校区举行。本次学术研讨会由微电子学院刘红侠主持,国内外多位专家出席并做主题报告,共有近300名师生参加了此次研讨会。

  Madhu S. Gupta教授、George E. Ponchak博士、庄晴光教授和马建国教授四位国际知名专家应邀向大会做主题报告。题目分别为“Microwave Engineering: What is it, and where is it headed”、“How to Write a Paper for IEEE MTT-S Journal and Navigate the Review Process”、“Active Microwave Filters”、“Electrothermal Large-Signal Model of III-V FETs Accounting for Frequency Dispersion and Charge Conservation”。

  各位主讲人分别介绍了如何向国际知名期刊投稿,微波工程、微波集成电路和微波器件等相关领域的前沿研究成果,并详细回答了师生所提出的问题。整个研讨会,气氛热烈,师生们积极参与。

  本次学术研讨会由国家宽禁带半导体与微纳电子学国家111基地主办,微电子学院、国际合作与交流处等相关部门协办。

  此次研讨会的成功举办,为我校微电子领域与国际相关领域的学者们提供了一个良好的沟通平台,同时也为我校师生们提供了一个与国际知名专家近距离交流的宝贵机会,对我校微电子学科的发展起到了积极的促进作用。(完)

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