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序号

实验名称

学时数

实验性质

材料物理类:

1

半导体材料电阻率和薄层电阻测量

3

基础性

2

MOS C-V特性测试

3

基础性

3

半导体霍尔效应测试

3

基础性

4

半导体材料层错位错

3

基础性

5

少子寿命测量

3

基础性

6

半导体材料光学参数测量

3

综合性

7

硅单晶禁带宽度测量

3

综合性

8

非晶硅薄膜激活能测量

3

综合性

9

深能级瞬态能谱法测量深能级复合中心

3

基础性

10

恒定表面光电压法测量硅少子扩散长度

3

基础性

工艺类:

11

半导体薄膜厚度测量

3

基础性

12

PN结的结深测量

3

基础性

13

光的干涉法测量薄膜厚度

3

综合性

14

椭偏法测量薄膜厚度

3

综合性

15

C-V法测量外延层杂质浓度

3

综合性

16

微电子测试图形技术

3

综合性

器件类:

17

双极晶体管模型参数提取

3

基础性

18

-半接触势垒高度测量

3

综合性

19

准静态法测量Si-SiO2界面态

3

综合性

20

器件解剖分析

3

综合性

21

双极晶体管电学参数测量

3

综合性

22

场效应晶体管温度特性测试

3

综合性

23

双极晶体管功率增益测试

3

综合性

24

双极晶体管噪声系数测试

3

综合性

25

场效应晶体管电学参数测试

3

综合性

26

场效应晶体管输入电容和反馈电容测试

3

综合性

27

晶体管特征频率测量

3

综合性

28

晶体管大注入特性测量

3

综合性

29

晶体管基极电阻rbb测试

3

综合性

30

晶体管稳态热阻测试

3

综合性

集成电路类:

31

TTL与非门平均传输时间tPd的测量

3

综合性

32

TTL与非门数字电路图绘制及逻辑模拟

3

综合性

33

集成运算放大器参数测试

3

综合性

34

二位二进制全加器的虚拟测试技术

3

综合性、设计性

35

一位二进制全加器版图设计

3

综合性、设计性

36

电子电路模块设计与PSPICE仿真

3

设计性

37

TTL与非门电路的LEDIT版图设计

3

设计性

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